Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › без Диода

Транзисторы биполярные с изолированным затвором без диода

_{20 из 2215}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314) Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		5 400 ֏ 4 020 ֏ ×	от 15 шт. — 4 000 ֏
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		8 100 ֏ 5 800 ֏ ×
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 670 ֏ 2 860 ֏ ×	от 15 шт. — 2 710 ֏
NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [D-PAK] [EOL] 10 шт. Бренд: Littelfuse Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 440 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 5000 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр	10 шт.	3 870 ֏ ×
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		6 500 ֏ 4 090 ֏ ×	от 3 шт. — 3 810 ֏
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр		2 910 ֏ 2 040 ֏ ×	от 15 шт. — 2 020 ֏
ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр		1 940 ֏ 1 420 ֏ ×	от 15 шт. — 1 370 ֏
MSG30D120FLB, Транзистор IGBT 1200В 30А 342Вт [TO-3PB] 9 дней, 149 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 342 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 121 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-3pb	быстрый просмотр	9 дней, 149 шт.	1 680 ֏ ×	от 10 шт. — 1 540 ֏
MSG80D60FLC, Транзистор IGBT 600В 80А 260Вт [TO-247] 9 дней, 95 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 334 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	9 дней, 95 шт.	1 870 ֏ ×	от 10 шт. — 1 710 ֏
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), Тарнзистор IGBT 1200В 8А 125Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		2 850 ֏ 1 900 ֏ ×	от 15 шт. — 1 880 ֏
STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK] 9 дней, 750 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH, Internally Clamped Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 440 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000 Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	9 дней, 750 шт.	2 910 ֏ 2 120 ֏ ×	от 15 шт. — 2 050 ֏
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 490 ֏ 2 460 ֏ ×	от 15 шт. — 2 340 ֏
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 340 ֏ 2 070 ֏ ×	от 15 шт. — 2 040 ֏
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		6 700 ֏ 4 790 ֏ ×	от 15 шт. — 4 760 ֏
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		4 000 ֏ 2 960 ֏ ×	от 15 шт. — 2 920 ֏
IRGP4063PBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 580 ֏ ×	от 15 шт. — 1 500 ֏
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213) Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		4 550 ֏ 3 160 ֏ ×	от 15 шт. — 3 140 ֏
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		2 070 ֏ ×	от 15 шт. — 2 000 ֏
IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 299 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO263-3	быстрый просмотр		2 710 ֏ ×	от 5 шт. — 2 650 ֏
IRG7IC28UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 40 Вт, [TO-220FP] Бренд: Infineon Технология/семейство: PDP Trench Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 40 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247 FULLPACK	быстрый просмотр		487 ֏ ×	от 15 шт. — 480 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором без диода

ООО «ЧИП и ДИП»