Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
2380 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 2380 шт. |
382 ֏
×
280 ֏ |
от 15 шт. — 272 ֏
|
594 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 594 шт. |
790 ֏
×
476 ֏ |
от 15 шт. — 445 ֏
|
977 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3
Корпус: SOT-223
|
быстрый просмотр | 977 шт. |
387 ֏ × |
от 50 шт. — 374 ֏
|
234 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115
Крутизна характеристики, S: 7.8
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 234 шт. |
1 040 ֏
×
580 ֏ |
от 15 шт. — 540 ֏
|
488 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 488 шт. |
1 040 ֏
×
550 ֏ |
от 15 шт. — 498 ֏
|
536 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 536 шт. |
2 430 ֏
×
1 650 ֏ |
от 15 шт. — 1 620 ֏
|
2033 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 2033 шт. |
207 ֏
×
142 ֏ |
от 5 шт. — 132 ֏
|
1859 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1859 шт. |
790 ֏
×
434 ֏ |
от 15 шт. — 413 ֏
|
340 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 340 шт. |
1 280 ֏
×
770 ֏ |
от 15 шт. — 750 ֏
|
1618 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1618 шт. |
730 ֏
×
520 ֏ |
от 15 шт. — 494 ֏
|
1524 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 1524 шт. |
850 ֏
×
540 ֏ |
от 15 шт. — 510 ֏
|
347 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 347 шт. |
1 740 ֏ × |
от 15 шт. — 1 650 ֏
|
257 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 257 шт. |
1 700 ֏
×
1 070 ֏ |
от 15 шт. — 1 050 ֏
|
111 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/14.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр | 111 шт. |
5 100 ֏
×
3 720 ֏ |
от 15 шт. — 3 650 ֏
|
204 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр | 204 шт. |
2 130 ֏
×
1 560 ֏ |
от 15 шт. — 1 530 ֏
|
9 дней, 829 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
|
быстрый просмотр | 9 дней, 829 шт. |
910 ֏
×
590 ֏ |
от 15 шт. — 520 ֏
|
9 дней, 412 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 412 шт. |
1 950 ֏ × |
от 15 шт. — 1 920 ֏
|
9 дней, 1674 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 1674 шт. |
730 ֏
×
500 ֏ |
от 15 шт. — 467 ֏
|
9 дней, 39 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 39 шт. |
790 ֏
×
465 ֏ |
от 15 шт. — 463 ֏
|
9 дней, 696 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 696 шт. |
1 670 ֏ × |
от 15 шт. — 1 630 ֏
|