Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics

2260 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252]
2347 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
2347 шт.
382 ֏
278 ֏
×
от 15 шт. — 269 ֏
STF3NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 800В 2.5А [TO-220FP]
572 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
572 шт.
790 ֏
471 ֏
×
от 15 шт. — 440 ֏
STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223]
973 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
973 шт.
383 ֏ ×
от 50 шт. — 370 ֏
STP10NK60Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220AB]
165 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115
Крутизна характеристики, S: 7.8
Корпус: to-220
быстрый просмотр
165 шт.
1 040 ֏
570 ֏
×
от 15 шт. — 530 ֏
STP10NK60ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220FP]
485 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
485 шт.
1 040 ֏
540 ֏
×
от 15 шт. — 493 ֏
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]
430 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
430 шт.
2 430 ֏
1 640 ֏
×
от 15 шт. — 1 610 ֏
STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP]
1963 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
1963 шт.
207 ֏
140 ֏
×
от 5 шт. — 131 ֏
STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB]
1806 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1806 шт.
790 ֏
430 ֏
×
от 15 шт. — 409 ֏
STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220FP]
336 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
336 шт.
1 280 ֏
760 ֏
×
от 15 шт. — 740 ֏
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]
1539 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1539 шт.
730 ֏
520 ֏
×
от 15 шт. — 489 ֏
STP6NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP]
1508 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
1508 шт.
850 ֏
540 ֏
×
от 15 шт. — 510 ֏
STP6NK90ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 900В, 1.56 Ом, 5.8А [TO-220FP]
349 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
349 шт.
1 730 ֏ ×
от 15 шт. — 1 640 ֏
STP75NF75, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 75В, 0.0095Ом, 80А [TO-220AB]
248 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: to-220
быстрый просмотр
248 шт.
1 700 ֏
1 060 ֏
×
от 15 шт. — 1 040 ֏
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 31.5А [TO-247]
105 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/14.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
105 шт.
5 100 ֏
3 680 ֏
×
от 15 шт. — 3 610 ֏
STW9NK90Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 900В, 1.1Ом, 8A [TO-247]
198 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
198 шт.
2 130 ֏
1 540 ֏
×
от 15 шт. — 1 510 ֏
IRF630, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [TO-220AB]
9 дней, 778 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
9 дней,
778 шт.
910 ֏
580 ֏
×
от 15 шт. — 520 ֏
STB140NF75T4, Транзистор MOSFET N-канал 75В 120А [D2-PAK]
9 дней, 902 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
902 шт.
1 930 ֏ ×
от 15 шт. — 1 900 ֏
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK]
9 дней, 1341 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
1341 шт.
730 ֏
495 ֏
×
от 15 шт. — 462 ֏
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK]
9 дней, 87 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
87 шт.
790 ֏
484 ֏
×
STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
9 дней, 674 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
674 шт.
1 660 ֏ ×
от 15 шт. — 1 610 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60