Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
2347 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 2347 шт. |
382 ֏
×
278 ֏ |
от 15 шт. — 269 ֏
|
572 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 572 шт. |
790 ֏
×
471 ֏ |
от 15 шт. — 440 ֏
|
973 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3
Корпус: SOT-223
|
быстрый просмотр | 973 шт. |
383 ֏ × |
от 50 шт. — 370 ֏
|
165 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115
Крутизна характеристики, S: 7.8
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 165 шт. |
1 040 ֏
×
570 ֏ |
от 15 шт. — 530 ֏
|
485 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 485 шт. |
1 040 ֏
×
540 ֏ |
от 15 шт. — 493 ֏
|
430 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 430 шт. |
2 430 ֏
×
1 640 ֏ |
от 15 шт. — 1 610 ֏
|
1963 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 1963 шт. |
207 ֏
×
140 ֏ |
от 5 шт. — 131 ֏
|
1806 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1806 шт. |
790 ֏
×
430 ֏ |
от 15 шт. — 409 ֏
|
336 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 336 шт. |
1 280 ֏
×
760 ֏ |
от 15 шт. — 740 ֏
|
1539 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1539 шт. |
730 ֏
×
520 ֏ |
от 15 шт. — 489 ֏
|
1508 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 1508 шт. |
850 ֏
×
540 ֏ |
от 15 шт. — 510 ֏
|
349 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 349 шт. |
1 730 ֏ × |
от 15 шт. — 1 640 ֏
|
248 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 248 шт. |
1 700 ֏
×
1 060 ֏ |
от 15 шт. — 1 040 ֏
|
105 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/14.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр | 105 шт. |
5 100 ֏
×
3 680 ֏ |
от 15 шт. — 3 610 ֏
|
198 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр | 198 шт. |
2 130 ֏
×
1 540 ֏ |
от 15 шт. — 1 510 ֏
|
9 дней, 778 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
|
быстрый просмотр | 9 дней, 778 шт. |
910 ֏
×
580 ֏ |
от 15 шт. — 520 ֏
|
9 дней, 902 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 902 шт. |
1 930 ֏ × |
от 15 шт. — 1 900 ֏
|
9 дней, 1341 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 1341 шт. |
730 ֏
×
495 ֏ |
от 15 шт. — 462 ֏
|
9 дней, 87 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 87 шт. |
790 ֏
×
484 ֏ |
|
9 дней, 674 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
быстрый просмотр | 9 дней, 674 шт. |
1 660 ֏ × |
от 15 шт. — 1 610 ֏
|