Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.4

_{2649 из 2787}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR21844PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 850 ֏ 2 010 ֏ ×	от 5 шт. — 1 990 ֏
IR2184PBF, Драйвер H/B 1.9/2.3А [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 310 ֏ 1 620 ֏ ×	от 15 шт. — 1 540 ֏
IR2184SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 720 ֏ ×	от 15 шт. — 1 630 ֏
IR2213PBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 1200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	7 900 ֏ 5 700 ֏ ×	от 5 шт. — 5 600 ֏
IR2213STRPBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 1200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	7 200 ֏ 5 100 ֏ ×	от 5 шт. — 5 000 ֏
IR2233JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 1200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр	10 700 ֏ 7 800 ֏ ×
IR25600STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SO-8N] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 370 ֏ 1 320 ֏ ×	от 5 шт. — 1 180 ֏
IR25607SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	2 670 ֏ 1 710 ֏ ×	от 5 шт. — 1 690 ֏
IR4426PBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 910 ֏ ×	от 5 шт. — 1 890 ֏
IR4426STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 520 ֏ 1 050 ֏ ×	от 10 шт. — 980 ֏
IR4427STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SOIC-8] (=IR4427SPBF) Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	590 ֏ ×	от 15 шт. — 540 ֏
IRS10752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 100В 160/240мА [SOT-23-6L] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 100 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	1 400 ֏ 900 ֏ ×	от 5 шт. — 880 ֏
IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 860 ֏ ×	от 5 шт. — 2 830 ֏
IRS20752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 200В 160/240мА [SOT-23-6L] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 85 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 140 ֏ ×	от 5 шт. — 1 120 ֏
IRS2104STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon	быстрый просмотр	970 ֏ 710 ֏ ×	от 5 шт. — 700 ֏
IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 810 ֏ ×	от 5 шт. — 1 790 ֏
IRS2113SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, High и Low-Side [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 2 250 ֏ ×	от 5 шт. — 2 140 ֏
IRS21531DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 160 ֏ ×	от 5 шт. — 1 140 ֏
IRS2153DPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 610 ֏ 1 850 ֏ ×	от 5 шт. — 1 780 ֏
IRS2153DSTRPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 340 ֏ 920 ֏ ×	от 10 шт. — 860 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.4

ООО «ЧИП и ДИП»