Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
8 дней, 852 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Выходной ток на канал, мА: 20
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 8 дней, 852 шт. |
316 ֏
×
167 ֏ |
от 15 шт. — 144 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
291 ֏
×
173 ֏ |
от 15 шт. — 152 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
431 ֏
×
264 ֏ |
от 15 шт. — 241 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
261 ֏
×
180 ֏ |
от 15 шт. — 158 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
340 ֏
×
188 ֏ |
от 15 шт. — 163 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
510 ֏
×
318 ֏ |
от 15 шт. — 291 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 100 ֏
×
710 ֏ |
от 15 шт. — 640 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 040 ֏
×
520 ֏ |
от 15 шт. — 471 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 400 ֏
×
940 ֏ |
от 15 шт. — 920 ֏
|
|
быстрый просмотр | 8 дней, 439 шт. |
94 ֏ × |
от 15 шт. — 87 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 2000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 160 ֏
×
750 ֏ |
от 15 шт. — 730 ֏
|
|
8 дней, 649 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 8 дней, 649 шт. |
364 ֏
×
214 ֏ |
от 15 шт. — 189 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
340 ֏
×
196 ֏ |
от 15 шт. — 175 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
425 ֏
×
214 ֏ |
от 15 шт. — 198 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
850 ֏
×
444 ֏ |
от 20 шт. — 393 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
431 ֏
×
269 ֏ |
от 15 шт. — 252 ֏
|
|
8 дней, 538 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: -40…+105
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 8 дней, 538 шт. |
316 ֏
×
209 ֏ |
от 50 шт. — 198 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 4
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.6
Частота единичного усиления, МГц: 2.25
Токовое смещение на входе, нА: 0.001
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 4.8
Выходной ток на канал, мА: 50
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +4.4…16, ±2.2…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
3 400 ֏
×
2 300 ֏ |
от 5 шт. — 2 270 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 5.3
Частота единичного усиления, МГц: 2.2
Токовое смещение на входе, нА: 0.0007
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1100
Ток собственного потребления, мА: 1.9
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +3…16, ±1.5…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 400 ֏
×
770 ֏ |
от 5 шт. — 740 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 5.3
Частота единичного усиления, МГц: 2.2
Токовое смещение на входе, нА: 0.0007
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1100
Ток собственного потребления, мА: 1.9
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +3…16, ±1.5…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 940 ֏
×
1 010 ֏ |
от 5 шт. — 980 ֏
|