Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 0.3
Частота единичного усиления, МГц: 0.6
Токовое смещение на входе, нА: 1.2
Напряжение смещения на входе, мкВ: 20
Ток собственного потребления, мА: 1.6
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
1 340 ֏
×
910 ֏ |
от 10 шт. — 850 ֏
|
|
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 9
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.003
Напряжение смещения на входе, мкВ: 200
Ток собственного потребления, мА: 0.21
Выходной ток на канал, мА: 12
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+90
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
2 670 ֏
×
1 970 ֏ |
от 5 шт. — 1 850 ֏
|
|
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 0.2
Частота единичного усиления, МГц: 0.7
Токовое смещение на входе, нА: 5
Напряжение смещения на входе, мкВ: 30
Ток собственного потребления, мА: 0.3
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +2.7…30, ±1.35…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
4 250 ֏
×
2 910 ֏ |
от 5 шт. — 2 880 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С нулевым дрейфом
Кол-во каналов: 1
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 20
Частота единичного усиления, МГц: 14
Токовое смещение на входе, нА: 0.07
Напряжение смещения на входе, мкВ: 0.4
Ток собственного потребления, мА: 1.3
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +4.5…36, ±2.25…18
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
3 400 ֏
×
2 210 ֏ |
от 5 шт. — 2 170 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С обратной связью по напряжению
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 295
Частота единичного усиления, МГц: 230
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 500
Токовое смещение на входе, нА: 0.002
Напряжение смещения на входе, мкВ: 250
Ток собственного потребления, мА: 14
Выходной ток на канал, мА: 70
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +8…12, ±4…6
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
9 000 ֏
×
7 000 ֏ |
от 5 шт. — 6 800 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1.7
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 150
Напряжение смещения на входе, мкВ: 500
Ток собственного потребления, мА: 2.5
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +10…30, ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
346 ֏
×
176 ֏ |
от 15 шт. — 156 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
730 ֏
×
409 ֏ |
от 15 шт. — 394 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
730 ֏
×
400 ֏ |
от 15 шт. — 372 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
437 ֏
×
238 ֏ |
от 15 шт. — 208 ֏
|
|
1650 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
1650 шт. |
285 ֏
×
166 ֏ |
от 15 шт. — 149 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
1 040 ֏
×
456 ֏ |
от 15 шт. — 386 ֏
|
|
981 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
![]() |
981 шт. |
285 ֏
×
158 ֏ |
от 15 шт. — 137 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
![]() |
590 ֏
×
354 ֏ |
от 15 шт. — 339 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
455 ֏
×
292 ֏ |
от 15 шт. — 275 ֏
|
|
1153 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
1153 шт. |
352 ֏
×
186 ֏ |
от 15 шт. — 166 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
730 ֏
×
429 ֏ |
от 15 шт. — 409 ֏
|
|
636 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
![]() |
636 шт. |
194 ֏
×
162 ֏ |
от 15 шт. — 149 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
![]() |
730 ֏
×
390 ֏ |
от 15 шт. — 371 ֏
|
|
1261 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1.3
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 15
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 2
Выходной ток на канал, мА: 80
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +2.7…12
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
1261 шт. |
1 400 ֏
×
930 ֏ |
от 5 шт. — 890 ֏
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 0.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 80
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1000
Ток собственного потребления, мА: 1.7
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
425 ֏
×
255 ֏ |
от 15 шт. — 233 ֏
|