1ED3131MC12HXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов), WSOIC
![Фото 1/2 1ED3131MC12HXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов), WSOIC](https://static.chipdip.ru/lib/712/DOC035712323.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/660/DOC047660328.jpg)
3 700 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 350 ֏
от 25 шт. —
3 070 ֏
3 шт.
на сумму 11 100 ֏
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The Infineon 1ED3131 offers separate sink and source output, accurate and stable timing, active shutdown to ensure a safe IGBT off-state in case the output chip is not connected to the power, short-circuit clamping to limit the gate voltage during short circuit.
Технические параметры
Тип входа | Inverting, Non-Inverting | |
IC Case / Package | WSOIC | |
Задержка Выхода | 270нс | |
Задержка по Входу | 270нс | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 1канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона | |
Линейка Продукции | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 15В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 3.1В | |
Стиль Корпуса Привода | WSOIC | |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | |
Ток истока | 5.5А | |
Ток стока | 5.5А | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов | |
Fall Time | 30ns | |
Logic Type | CMOS | |
Output Current | 5.5 A | |
Package Type | PG-DSO-8 | |
Pin Count | 8 | |
Supply Voltage | 3 → 15V | |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 441 КБ