1EDI20I12SVXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона, IGBT, MOSFET, 36 вывод(-ов), HSOIC
![1EDI20I12SVXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона, IGBT, MOSFET, 36 вывод(-ов), HSOIC](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299381.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
8 600 ֏
от 25 шт. —
8 100 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 19 600 ֏
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
Технические параметры
IC Case / Package | HSOIC |
Задержка Выхода | 485нс |
Задержка по Входу | 500нс |
Количество Выводов | 36вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона |
Линейка Продукции | EiceDRIVER 1EDS-SRC |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальное Напряжение Питания | 5.5В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 4.85В |
Стиль Корпуса Привода | HSOIC |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1177 КБ