2N6508G, Тиристор, 600 В, 40 мА, 16 А, 25 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 шт., срок 9-11 недель
2 850 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 490 ֏
от 100 шт. —
2 000 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 400 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Тиристоры\Тиристоры - SCR
The 2N6508G is a 3-pin Silicon Controlled Rectifier is designed primarily for half-wave AC control applications. Glass passivated junctions with centre gate fire for greater parameter uniformity and stability. Blocking voltage to 800V.
• Small, rugged, thermowatt constructed for low thermal resistance, high heat dissipation & durability
Технические параметры
| Thyristor Mounting | Through Hole |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt | 1.5В |
| Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt | 40мА |
| Максимальный Ток Удержания Ih | 40мА |
| Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm | 600В |
| Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц | 250А |
| Средний Ток It | 16А |
| Стиль Корпуса Тиристора | TO-220AB |
| Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms) | 25А |
| Вес, г | 2.18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 476 КБ
TS106-142
pdf, 141 КБ
Отечественные тиристоры и симисторы мощные
pdf, 515 КБ
Тиристоры отечественные
pdf, 384 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
