2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
![Фото 1/4 2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299917.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 | |
| Корпус | TO-92(Formed Leads) | |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
2N7000TA datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7000TA
pdf, 152 КБ
Документация
pdf, 208 КБ
2N7000, 2N7002, NDS7002A
pdf, 286 КБ
