2N7002-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
469 ֏
от 5 шт. —
316 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 469 ֏
Описание
МОП-транзистор FET 60V 5.0 OHM
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 115 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2N7002 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Вес, г | 0.0093 |
