2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220]
![2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
852 шт. с центрального склада, срок 8 дней
1 410 ֏
от 15 шт. —
1 340 ֏
1 шт.
на сумму 1 410 ֏
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 9001246734
Бренд: Inchange Semiconductor
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.25 Ом/3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 | |
Крутизна характеристики, S | 4 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.5 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
2SK1117
pdf, 310 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг