2SK2611, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]
![2SK2611, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Цена и сроки поставки по запросу
2 180 ֏
от 15 шт. —
2 070 ֏
1 шт.
на сумму 2 180 ֏
Номенклатурный номер: 9001246733
Бренд: Inchange Semiconductor
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4 Ом/4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
Крутизна характеристики, S | 7 | |
Корпус | to-3pn | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 4.6 |
Техническая документация
2SK2611
pdf, 210 КБ