2SK3075(TE12L,Q)
![Фото 1/2 2SK3075(TE12L,Q)](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC001215984.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/598/DOC006598343.jpg)
967 шт., срок 8-10 недель
6 900 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 13 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходная мощность | 7.5 W |
Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Рабочая частота | 520 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SK3075 |
Технология | Si |
Тип | RF Power MOSFET |
Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | PW-X-4 |
Усиление | 11.7 dB |
Техническая документация
2SK3075
pdf, 118 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг