Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › 2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А ...

2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 шт. со склада г.Ереван, Сегодня

1181 шт. с центрального склада, срок 9 дней

2 670 ֏

1 840 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 840 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 9000241006

Бренд: Toshiba

Описание

MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Current Id Max:9A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.3 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	7
Корпус	SC-65/2-16C1B
Вес, г	4.6