AIGB40N65F5ATMA1, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 74A, TO-263
![AIGB40N65F5ATMA1, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 74A, TO-263](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 140 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 610 ֏
от 100 шт. —
2 710 ֏
3 шт.
на сумму 12 420 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 74А |
Power Dissipation | 250Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.17 |