AUIRFB8409, Транзистор, Autom Q101 Nкан 40В 195А 1.3мОм [TO-220AB]
![Фото 1/3 AUIRFB8409, Транзистор, Autom Q101 Nкан 40В 195А 1.3мОм [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/470/DOC025470528.jpg)
2 850 ֏
2 080 ֏
от 15 шт. —
2 020 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 080 ֏
Описание
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0013 Ом/100А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 | |
Крутизна характеристики, S | 150 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | автомобильные приложения | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet auirfs8409
pdf, 398 КБ