Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал ...

BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 400 ֏

от 50 шт. — 2 340 ֏

1 шт. на сумму 2 400 ֏

Номенклатурный номер: 762657551

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Технические параметры

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.43
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	4 Ом/0.43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.8
Крутизна характеристики, S	0.76
Корпус	SOT-223
Пороговое напряжение на затворе	-1.5
Вес, г	0.39