BSS131H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.11А [SOT-23-3]
![Фото 1/6 BSS131H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.11А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639855.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436272.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/657/DOC031657537.jpg)
146 ֏
105 ֏
от 100 шт. —
98 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 105 ֏
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 240 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 14 Ом/0.1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |