BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
![Фото 1/7 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/121/DOC012121012.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/800/DOC029800859.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/664/DOC039664545.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/344/DOC022344583.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
291 ֏
129 ֏
от 100 шт. —
112 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 129 ֏
Посмотреть аналоги6
Описание
The ON Semiconductor BSS138L is power MOSFET and its package type is SOT-23. The typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/0.22А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 | |
Крутизна характеристики, S | 0.1 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.6 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
BSS138
pdf, 116 КБ
Datasheet
pdf, 70 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 230 КБ
Datasheet BVSS138LT1G
pdf, 105 КБ
BSS138L, BVSS138L
pdf, 162 КБ