BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323]
![Фото 1/2 BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323]](https://static.chipdip.ru/lib/353/DOC001353274.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
104 ֏
36 ֏
от 100 шт. —
28 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 ֏
Описание
N-Channel MOSFETS
Micro Commercial Components (MCC) N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have a low on-Resistance (RDS) range of 0.012Ω to 8Ω and a high voltage version of up to 800V. These rugged and reliable MOSFETs are available in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. MCC N-Channel MOSFETs The N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.
Micro Commercial Components (MCC) N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have a low on-Resistance (RDS) range of 0.012Ω to 8Ω and a high voltage version of up to 800V. These rugged and reliable MOSFETs are available in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. MCC N-Channel MOSFETs The N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/0.22А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 | |
| Корпус | sot-323 | |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 947 КБ
Datasheet BSS138W
pdf, 361 КБ
