CUS10S30,H3F(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22255 шт., срок 9-11 недель
489 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 12 225 ֏
Описание
The Toshiba Schottky barrier diode having silicon epitaxial. It has general purpose USC package which is equivalent to SOD-323 and SC-76 packages.
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 1 |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Diode Type | Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 5A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | USC |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 30V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 134 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
