DDC114EH-7, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм
![DDC114EH-7, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм](https://static.chipdip.ru/lib/229/DOC006229446.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
322 ֏
Мин. кол-во для заказа 35 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
141 ֏
35 шт.
на сумму 11 270 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Collector Emitter Voltage Max PNP | - |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
Power Dissipation | 150мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 6 ??????? |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-563 |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
Полярность Цифрового Транзистора | ??????? NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | - |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
Вес, г | 1 |