DF160R12W2H3FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Four Pack, 160 А, 1.55 В, 150 °C, Module
![DF160R12W2H3FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Four Pack, 160 А, 1.55 В, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/854/DOC034854057.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
144 000 ֏
от 5 шт. —
133 000 ֏
от 10 шт. —
122 000 ֏
1 шт.
на сумму 144 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 160А |
DC Ток Коллектора | 160А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Four Pack |
Линейка Продукции | EasyPACK CoolSiC |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 722 КБ