DMN5L06K-7, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 80 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.048 |
