DMN6040SVT-7, Транзистор MOSFET N-CH 60V 5A Automotive [TSOT-26-6]
![Фото 1/2 DMN6040SVT-7, Транзистор MOSFET N-CH 60V 5A Automotive [TSOT-26-6]](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC005257820.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614928.jpg)
48 ֏
от 100 шт. —
44 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 48 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.044 Ом/4.3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 | |
Крутизна характеристики, S | 4.5 | |
Корпус | TSOT-23-6 | |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet DMN6040SVT-7
pdf, 199 КБ