DMN65D8L-7, МОП-транзистор, N Канал, 310 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2 В
![Фото 1/3 DMN65D8L-7, МОП-транзистор, N Канал, 310 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2 В](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639856.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
27 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 ֏
Описание
Power MOSFETs
Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.
Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 370мВт |
Полярность Транзистора | N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 310мА |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Вес, г | 5 |