DZT5551, TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
308 ֏
25 шт.
на сумму 12 100 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 160В |
| Continuous Collector Current | 600мА |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 130МГц |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 at 50 mA, 5 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Height | 1.65 mm |
| Length | 6.7 mm |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | DZT5551 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Width | 3.7 mm |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 115mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 0.112 |
