DZT5551-13, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 130 МГц, 2 Вт, 600 мА, 30 hFE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
219 ֏
117 ֏
от 5 шт. —
88 ֏
1 шт.
на сумму 117 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 160Vceo
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 600ма |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Частота Перехода ft | 130МГц |
| Вес, г | 1.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 165 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 145 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 150 КБ
