FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]
![Фото 1/4 FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 190 ֏
1 370 ֏
от 15 шт. —
1 340 ֏
1 шт.
на сумму 1 370 ֏
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.049 Ом/29.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 392 | |
| Корпус | to-3pn | |
| Вес, г | 6.5 |
