FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
![Фото 1/4 FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 340 ֏
2 620 ֏
от 15 шт. —
2 590 ֏
1 шт.
на сумму 2 620 ֏
Описание
UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.056 Ом/29.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 | |
| Крутизна характеристики, S | 52 | |
| Корпус | to-3pn | |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet FDA59N30
pdf, 1918 КБ
