FDC6306P, Транзистор
![Фото 1/3 FDC6306P, Транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413304.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC027066008.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/665/DOC001665836.jpg)
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density.
Технические параметры
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.127Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 61 КБ
Datasheet
pdf, 321 КБ
Datasheet FDC6306P
pdf, 158 КБ
Datasheet FDC6306P
pdf, 175 КБ