FDP030N06B-F102, Транзистор N-MOSFET 60В 120А 205Вт [TO-220]
![Фото 1/2 FDP030N06B-F102, Транзистор N-MOSFET 60В 120А 205Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/053/DOC035053469.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 440 ֏
от 3 шт. —
2 360 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 440 ֏
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 206 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 195 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | FDP030N06B_F102 |
| Pd - Power Dissipation: | 205 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.67 mOhms |
| Rise Time: | 33 ns |
| Series: | FDP030N06B_F102 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 2.5 |
