FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8]
![Фото 1/5 FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762060.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/447/DOC004447557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762072.jpg)
730 ֏
463 ֏
от 50 шт. —
431 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 463 ֏
Описание
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом/8.8А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 | |
Крутизна характеристики, S | 24 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 225 КБ
Документация
pdf, 388 КБ
Datasheet FDS4435BZ
pdf, 402 КБ