FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
![FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
822 шт. с центрального склада, срок 9 дней
193 ֏
от 15 шт. —
176 ֏
1 шт.
на сумму 193 ֏
Посмотреть аналоги1
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.019 Ом/7.1А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 27 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.5 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet FDS9926A
pdf, 810 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
