FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
![Фото 1/6 FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC044403643.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/725/DOC017725798.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/512/DOC028512952.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/750/DOC043750273.jpg)
407 ֏
231 ֏
от 10 шт. —
205 ֏
1 шт.
на сумму 231 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/3.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 8.6 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1…3 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 185 КБ
Datasheet
pdf, 71 КБ
Документация
pdf, 186 КБ
Datasheet FDS9945
pdf, 73 КБ