FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
![FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2287 шт. с центрального склада, срок 8 дней
231 ֏
от 15 шт. —
212 ֏
1 шт.
на сумму 231 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом/5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 11 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2…2.5 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet FDS9945
pdf, 3442 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
