FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
![Фото 1/4 FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт](https://static.chipdip.ru/lib/893/DOC005893469.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744347.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/641/DOC024641225.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/397/DOC031397665.jpg)
71 000 ֏
49 500 ֏
от 3 шт. —
48 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 49 500 ֏
Описание
Описание Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Структура | полумост | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 555 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 | |
Корпус | AG-34MM | |
Вес, г | 160 |