FF1200R12IE5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.2 кА, 1.7 В, 175 °C, Module
![FF1200R12IE5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.2 кА, 1.7 В, 175 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/338/DOC025338710.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
993 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 993 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FF1200R12IE5, SP000976764
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1.2кА |
| DC Ток Коллектора | 1.2кА |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | PrimePACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
| Base Product Number | FF1200 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2400A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 65.5nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C |
| Package | Tray |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 20mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | PrimePackв„ў2 -> |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 1200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 613 КБ
Datasheet FF1200R12IE5BPSA1
pdf, 572 КБ
