FF150R12KE3GB2HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 225 А, 1.7 В, 780 Вт, 125 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
135 000 ֏
1 шт.
на сумму 135 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Series |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 225 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | 62MM Module |
| Pin Count | 7 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 374.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FF150R12KE3G_B2
pdf, 393 КБ
Datasheet FS25R12W1T4B11BOMA1
pdf, 208 КБ
