FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 125 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
119 000 ֏
от 5 шт. —
109 000 ֏
от 10 шт. —
98 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 119 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FF200R12KS4, SP000100707
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 275А |
| DC Ток Коллектора | 275А |
| Power Dissipation | 1.4кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.2В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 1.4кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 2 Fast |
| Channel Type | N |
| Configuration | Series |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 275 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1400 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | AG-62MM-1 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 363.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Infineon-FF200R12KS4-DS-v03_04-en_de
pdf, 630 КБ
