FF450R33T3E3B5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 450 А, 2.5 В, 150 °C, Module
![FF450R33T3E3B5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 450 А, 2.5 В, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/765/DOC004765902.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 216 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 216 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 3.3кВ |
Continuous Collector Current | 450А |
DC Ток Коллектора | 450А |
Выводы БТИЗ | Stud |
Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
Линейка Продукции | XHP3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 3.3кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.5В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet FF450R33T3E3B5BPSA1
pdf, 823 КБ