FF600R17ME4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 950A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
441 000 ֏
от 5 шт. —
404 000 ֏
1 шт.
на сумму 441 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 950А |
| DC Ток Коллектора | 950А |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.95В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 406.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 537 КБ
