FF650R17IE4DB2BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 930 А, 2 В, 4.15 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
463 000 ֏
1 шт.
на сумму 463 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
• Extended operation temperature Tvj op, high DC stability
• High current density, low switching losses
• Enlarged diode for regenerative operation, low VCEsat
• High creepage and clearance distances
• High power and thermal cycling capability
• High power density, copper base plate
• 930A continuous DC collector current (TC = 25°C, Tvj max = 175°C)
• 5.8V typical gate threshold voltage (IC = 24.0mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
• 2.3ohm typical internal gate resistor (Tvj = 25°C)
• Temperature range from -40 to +150°C (under switching conditions)
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 930А |
| DC Ток Коллектора | 650А |
| Power Dissipation | 4.15кВт |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | PrimePACK 2 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 4.15кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4 |
| Вес, г | 825 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1992 КБ
