FP150R12KT4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 150 А, 1.75 В, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
192 000 ֏
1 шт.
на сумму 192 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FP150R12KT4, SP001603812
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 150А |
DC Ток Коллектора | 150А |
Power Dissipation | - |
Выводы БТИЗ | Solder |
Количество Выводов | 43вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EconoPIM 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Рассеиваемая Мощность | - |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Configuration | 3 Phase Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Mounting Type | Panel Mount |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet FP150R12KT4BPSA1
pdf, 749 КБ