FP20R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 27 А, 1.55 В, 94 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 800 ֏
от 5 шт. —
27 100 ֏
от 10 шт. —
25 200 ֏
1 шт.
на сумму 29 800 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FP20R06W1E3, SP000092041
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 27А |
| DC Ток Коллектора | 27А |
| Power Dissipation | 94Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EasyPIM 1B |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 94Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Array 7 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 27 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 94 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 20 |
| Pin Count | 20 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | EASY1B-1 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 27 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 94 W |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | Module |
| Вес, г | 0.2 |
