FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/873/DOC037873118.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/825/DOC044825732.jpg)
119 000 ֏
от 5 шт. —
109 000 ֏
от 10 шт. —
98 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 119 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 35 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 35А |
DC Ток Коллектора | 35А |
Power Dissipation | 210Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | Seven Pack |
Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 210Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 210 W |
Package Type | AG-ECONO2C-211 |
Вес, г | 250 |
Техническая документация
Datasheet FP35R12KT4B15BPSA1
pdf, 828 КБ