FP50R12KT4GBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 400 ֏
от 5 шт. —
83 500 ֏
1 шт.
на сумму 90 400 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FP50R12KT4G, SP000879284
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| DC Ток Коллектора | 50А |
| Power Dissipation | 280Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Количество Выводов | 35вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 280Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Base Product Number | FP50R12 -> |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 280W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 250 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1101 КБ
Datasheet FP50R12KT4GBOSA1
pdf, 846 КБ
