FQA24N60, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 23.5 А, 600 В, 240 мОм, 10 В, 5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 ֏
от 5 шт. —
920 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой FQA24N60 от ONSEMI – это высокоэффективный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия типа THT. Способный работать с током стока до 23,5 А и напряжением сток-исток до 600 В, этот транзистор обладает мощностью 310 Вт, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Корпус TO3PN обеспечивает надежную работу и удобство монтажа. Воспользуйтесь преимуществами FQA24N60 для улучшения производительности ваших электронных схем. Продукт FQA24N60 сочетает в себе высокие технические характеристики и качество, характерное для продукции ONSEMI. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 23.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 310 |
| Корпус | TO3PN |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Maximum Continuous Drain Current | 23.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 240@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 170 ns |
| Typical Rise Time | 270 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 200 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 90 ns |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2041 КБ
Документация
pdf, 1639 КБ
