FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
![Фото 1/4 FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC039941046.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
1 340 ֏
1 040 ֏
от 15 шт. —
970 ֏
1 шт.
на сумму 1 040 ֏
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 Ом/4.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 699 КБ
Документация
pdf, 1320 КБ
Datasheet FQD12N20
pdf, 1317 КБ